[发明专利]光刻方法无效
| 申请号： | 201210258708.8 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103576466A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐春云 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻方法，包括下列步骤：在晶圆上涂覆六甲基二硅胺烷；在所述晶圆上形成抗反射涂层并烘烤；在所述晶圆上涂覆光刻胶，所述光刻胶为正性光刻胶；对涂覆的光刻胶进行软烘；对所述涂覆的光刻胶进行曝光；对光刻胶进行曝光后烘烤；对曝光后的光刻胶进行显影；对显影后的光刻胶进行硬烘。因此，相对于传统技术改善了产品的关键尺寸（CD），提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括下列步骤：在晶圆上涂覆六甲基二硅胺烷；在所述晶圆上形成抗反射涂层并烘烤；在所述晶圆上涂覆光刻胶，所述光刻胶为正性光刻胶；对涂覆的光刻胶进行软烘；对所述涂覆的光刻胶进行曝光；对光刻胶进行曝光后烘烤；对曝光后的光刻胶进行显影；对显影后的光刻胶进行硬烘。
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