[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法。该方法提供具有第一区及第二区的基底。在基底上形成第一图案化罩幕层，其在第一区中具有至少一第一开口而在第二区中具有至少一第二开口。第一开口小于第二开口。以第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分基底，以在第一区的基底中形成至少一第一沟渠，且同时在第二区的基底中形成至少一第二沟渠。第一沟渠的宽度及深度都小于第二沟渠。移除第一图案化罩幕层。在第一沟渠上及第二沟渠上形成第一介电层。在位于第一沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上及位于第二沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上形成导体层。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，具有第一区及第二区；在该基底上形成第一图案化罩幕层，其中该第一图案化罩幕层在该第一区中具有至少一第一开口且在该第二区中具有至少一第二开口，该第一开口小于该第二开口；以该第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分该基底，以在该第一区的该基底中形成至少一第一沟渠，且同时在该第二区的该基底中形成至少一第二沟渠，其中该第一沟渠的宽度小于该第二沟渠的宽度，且该第一沟渠的深度小于该第二沟渠的深度；移除该第一图案化罩幕层；在该第一沟渠上及该第二沟渠上形成第一介电层；以及在位于该第一沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上及位于该第二沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上形成导体层。