[发明专利]芯片堆迭结构及其制造方法有效
申请号: | 201210258997.1 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN103325799A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 沈更新;陈雅琪;毛苡馨 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶;陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明关于一芯片堆迭结构及其制造方法,将具有光学芯片的晶圆、以及具有信号处理芯片的玻璃基板彼此迭合后,再进行植球及切割,以制成堆迭的封装结构,其中光学芯片及信号处理芯片藉由玻璃基板的导电贯穿孔,于一表面上电性连接。 | ||
搜索关键词: | 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片堆迭结构,包含:一信号处理芯片模组,包含:一玻璃基板,具有一第一表面、以及与该第一表面相对的一第二表面,该第一表面上更形成一凹穴,其中,该玻璃基板的第一表面与该凹穴内分别形成有贯穿孔,并于该贯穿孔内镀有金属材料以电性连接该第一表面及该第二表面;及一信号处理芯片,设置于该凹穴中与该多个贯穿孔电性连接;及一光学芯片模组,包含一光学芯片,该光学芯片模组于该第一表面上与该信号处理芯片模组迭置,该光学芯片的面积大于该信号处理芯片的面积,以涵盖该信号处理芯片;其中,该信号处理芯片及该光学芯片更分别包含多个导电接点相应地连接这些贯穿孔,以于该第二表面上电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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