[发明专利]芯片堆迭结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210258997.1 申请日: 2012-07-24
公开(公告)号: CN103325799A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 沈更新;陈雅琪;毛苡馨 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐洁晶;陈亮
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一芯片堆迭结构及其制造方法,将具有光学芯片的晶圆、以及具有信号处理芯片的玻璃基板彼此迭合后,再进行植球及切割,以制成堆迭的封装结构,其中光学芯片及信号处理芯片藉由玻璃基板的导电贯穿孔,于一表面上电性连接。
搜索关键词: 芯片 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种芯片堆迭结构,包含:一信号处理芯片模组,包含:一玻璃基板,具有一第一表面、以及与该第一表面相对的一第二表面,该第一表面上更形成一凹穴,其中,该玻璃基板的第一表面与该凹穴内分别形成有贯穿孔,并于该贯穿孔内镀有金属材料以电性连接该第一表面及该第二表面;及一信号处理芯片,设置于该凹穴中与该多个贯穿孔电性连接;及一光学芯片模组,包含一光学芯片,该光学芯片模组于该第一表面上与该信号处理芯片模组迭置,该光学芯片的面积大于该信号处理芯片的面积,以涵盖该信号处理芯片;其中,该信号处理芯片及该光学芯片更分别包含多个导电接点相应地连接这些贯穿孔,以于该第二表面上电性连接。
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