[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201210260559.9 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102916126B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;H01F10/32;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息，其中，所述存储层的直径小于45nm；磁化固定层，具有用作被存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在所述存储层、所述绝缘层以及所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转所述存储层的磁化来存储所述信息，以及所述存储层的尺寸小于所述磁化的方向被同时改变的尺寸。
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