[发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法有效
| 申请号： | 201210260889.8 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103578889A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管层，该碳纳米管层具有相对的第一表面和第二表面，将该碳纳米管层的第一表面沿第一方向区分为第一区域和第二区域；在该碳纳米管层的第一表面的第一区域涂覆一金属层；以及以所述第一方向为卷轴，卷曲该涂覆后的碳纳米管层，形成一碳纳米管场发射体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管场发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管层，该碳纳米管层具有相对的第一表面和第二表面，将该碳纳米管层的第一表面沿一第一方向区分为第一区域和第二区域；涂覆一金属层于该碳纳米管层的第一区域；以及以所述第一方向为卷轴，卷曲该涂覆金属层后的碳纳米管层，形成一碳纳米管场发射体。
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