[发明专利]半导体接合焊盘结构及其制造方法、以及集成电路有效
| 申请号： | 201210261768.5 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102751255B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体接合焊盘结构及其制造方法、以及集成电路。根据本发明的半导体接合焊盘结构包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的第一金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔。并且，所述中心部分的外周的一侧或者多侧上分别布置了一条或者多条的长条形凹槽；其中，在所述一条或者多条的长条形凹槽的底部和侧壁上布置了与所述通孔中材料相同的第二金属层，在所述第二金属层上布置了与所述第一金属薄膜具有相同材料的第三金属层，其中所述第三金属层与所述第一金属薄膜整体形成，并且所述长条形凹槽内的所述第三金属层的上表面低于所述第一金属薄膜的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 盘结 及其 制造 方法 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体接合焊盘结构，其特征在于包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分为裸露出的第一金属薄膜；所述外周部分的表面上布置了钝化层，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周的一侧或者多侧上分别布置了一条或者多条的长条形凹槽；其中，在所述一条或者多条的长条形凹槽的底部和侧壁上布置了与所述通孔中材料相同的第二金属层，在所述第二金属层上布置了与所述第一金属薄膜具有相同材料的第三金属层，其中所述第三金属层与所述第一金属薄膜整体形成，并且所述长条形凹槽内的所述第三金属层的上表面低于所述第一金属薄膜的上表面。
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