[发明专利]存储器内建自测方法以及存储器错误检查方法在审
| 申请号： | 201210261814.1 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102750989A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 存储器内建自测方法以及存储器错误检查方法。按照存储器最高读取操时钟频率设置测试读取操作的时钟频率，测试的时钟频率和存储器的时钟频率完全一致，以达到最短的测试时间；执行内部读取操作，以判断读取成功还是失败；在读取成功的情况下，输出第一信号；在读取失败的情况下，输出第二信号；判断是否都完成了内部读取操作；如果判断完成存储器的所有扇区的内部读取操作，则判断输出信号是否都是第一信号；如果判断输出信号并非都是的第一信号，则根据输出第二信号的次数判断出错扇区或存储单元行或存储单元列的数量是否超出数量，并且根据判断输出的第二信号位置可以明确知道错扇区或者存储单元行或者存储单元列的具体位置，从而进行冗余修补。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 自测 方法 以及 错误 检查 | ||
【主权项】：
一种存储器内建自测方法，其特征在于包括：按照存储器最高读取操时钟频率设置测试读取操作的时钟频率；执行内部读取操作，以针对存储器的每个扇区或者每行存储单元或者每列存储单元判断当前扇区或者当前存储单元行或者当前存储单元列的读取成功还是失败；在当前扇区或者当前存储单元行或者当前存储单元列的读取成功的情况下，输出第一信号；以及在当前扇区或者当前存储单元行或者当前存储单元列的读取失败的情况下，输出第二信号。
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