[发明专利]用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构

摘要

一种用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其包括：第一掺杂类型的上层外延层和下层外延层；布置在上层外延层和下层外延层中的第二掺杂类型的柱状掺杂区，柱状掺杂区在从上层外延层至下层外延层的方向上贯穿上层外延层，并穿过部分的下层外延层；柱状掺杂区与下层外延层共同形成测试二极管；布置在上层外延层中的第二掺杂类型的击穿保护环；与柱状掺杂区相连的第一电极的连接部分；布置在第一外延层表面的具有第一掺杂类型的接触区，以及连接此接触区的第二电极。根据本发明，通过测量下层外延层与柱状掺杂区形成的测试二极管的击穿电压，从而能够在晶片可接受性测试的过程中有效地监控下层外延层的电阻特性。

主权项

一种用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于包括：第一掺杂类型的上层外延层和第一掺杂类型的下层外延层；布置在上层外延层和下层外延层中的第二掺杂类型的柱状掺杂区，其中所述柱状掺杂区在从所述上层外延层至所述下层外延层的方向上贯穿所述上层外延层，并穿过部分的下层外延层；布置在所述上层外延层中的第二掺杂类型的击穿保护环区；与所述柱状掺杂区相连的第一电极的连接部分；布置在上层外延层表面的具有第一掺杂类型的接触区，以及连接此接触区的第二电极；所述击穿保护环使所述下层外延层与所述柱状掺杂区形成的测试二极管的击穿最先发生在所述柱状掺杂区的底部与下层外延层相接触的位置。