[发明专利]绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法有效
| 申请号： | 201210262439.2 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102790091A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 季明华;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L27/115;H01L27/12;G11C11/22;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法，其中所提供的一种纳米硅铁电存储器，包括由存储单元所组成的存储阵列，所述存储单元包括：一个场效应晶体管，其中栅极靠近漏极一侧侧壁为数据存储区，材质为内嵌纳米硅颗粒的多孔氧化硅材料；所述场效应晶体管的栅极连接字线，漏极以及源极分别连接第一位线以及第二位线，衬底连接外置电压源；所述场效应晶体管的GIDL漏电流为存储单元的读操作电流。本发明采用内嵌纳米硅颗粒的多孔氧化硅材料制作铁电存储器的数据存储区，与现有铁电存储器相比，与CMOS工艺兼容性更佳，具有更优异的非易失性数据存储能力，解决常规铁电存储器的极性退化导致数据丢失问题。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 晶体管 纳米 硅铁电 存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种绿色晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述衬底为绝缘体上硅；形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。
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