[发明专利]蓝宝石单晶生长装置无效
申请号: | 201210262668.4 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102899717A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 郭晚锡;金大渊 | 申请(专利权)人: | 株式会社KCC |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谢顺星;张晶 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种蓝宝石单晶生长装置,其为在氧化铝熔液中接触晶种后将其上升,从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置,其包括:第一腔室(第一腔室的上面形成有插入口),其容纳氧化铝,氧化铝在其中熔融;第二腔室,其设置在第一腔室的上部,以与第一腔室的插入口接通;晶种杆(晶种杆的终端设置有晶种),其通过第二腔室下降至第一腔室内,或从第一腔室上升;以及腔室阻隔部,其设置在第二腔室的下端,开闭插入口,为了替换晶种,当晶种杆的终端上升并位于第二腔室的内部时,腔室阻隔部关闭插入口。上述蓝宝石单晶生长装置通过显著减少晶种替换的时间,提高生产性能,防止由反复冷却和再加热引起的变形和寿命减少。 | ||
搜索关键词: | 蓝宝石 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石单晶生长装置,其为在氧化铝熔液中接触晶种后使其上升,从而使蓝宝石单晶生长的蓝宝石单晶生长装置,其特征在于,所述蓝宝石单晶生长装置包括:第一腔室,其容纳氧化铝,所述氧化铝在其中熔融,所述第一腔室的上面形成有插入口;第二腔室,其设置在所述第一腔室的上部,以与所述第一腔室的插入口接通;晶种杆,其通过所述第二腔室下降至所述第一腔室内,或从所述第一腔室上升,所述晶种杆的终端设置有所述晶种;以及腔室阻隔部,其设置在所述第二腔室的下端,开闭所述插入口;为了替换所述晶种,当所述晶种杆的终端上升并位于所述第二腔室的内部时,所述腔室阻隔部关闭所述插入口。
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