[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210262740.3 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103000683A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：Si衬底；形成于Si衬底表面之上的Si氧化物层；形成于Si氧化物层之上的成核层，成核层露出Si氧化物层的一部分；以及形成于Si氧化物层和成核层之上的化合物半导体堆叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：Si衬底；形成于所述Si衬底的表面之上的Si氧化物层；形成于所述Si氧化物层之上的成核层，所述成核层露出所述Si氧化物层的一部分；以及形成于所述Si氧化物层和所述成核层之上的化合物半导体堆叠结构。
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