[发明专利]一种传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210262973.3 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN102790069A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 李田生;徐少颖;谢振宇 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种传感器及其制造方法,所述传感器包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,每个感测单元包括光电二极管传感器件和薄膜晶体管器件,其中,所述光电二极管传感器件包括:位于衬底基板之上的偏压线;位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极;位于透明电极之上的光电二极管;以及,位于光电二极管之上的接收电极;所述薄膜晶体管器件位于光电二极管之上。传感器在工作时,光线经过衬底基板直接透射在光电二极管传感器件上,对比于现有技术,大大减少了光损失,提高了光的吸收利用率。
搜索关键词: 一种 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种传感器,其特征在于,包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,每个感测单元包括光电二极管传感器件和薄膜晶体管器件,其中,所述光电二极管传感器件包括:位于衬底基板之上的偏压线;位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极;位于透明电极之上的光电二极管;以及,位于光电二极管之上的接收电极;所述薄膜晶体管器件包括:位于光电二极管之上并与接收电极连接的源极、位于光电二极管之上并与相邻的数据线连接的漏极,所述源极和漏极相对而置形成沟道;位于源极和漏极之上的欧姆层;位于欧姆层和沟道之上的有源层;位于有源层之上并覆盖基板的第一钝化层;以及,位于第一钝化层之上,沟道上方的栅极,所述栅极与相邻的栅线连接。
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