[发明专利]一种制备铜纳米线和铜纳米尖锥的方法无效
| 申请号： | 201210264695.5 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102776469A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈军;宋晓萌;许宁生;邓少芝 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C8/12 | 分类号： | C23C8/12;B81C1/00;H01J1/304;H01M4/02;H01G9/042 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备铜纳米线和铜纳米尖锥的方法。首先将铜衬底在有氧气氛下加热形成氧化铜薄膜或氧化铜纳米线薄膜，然后将其放入真空室，用氩离子源进行轰击，通过控制离子轰击的能量和时间，可以得到铜的纳米线或纳米尖锥阵列。本方法不使用任何催化剂，可以方便地在衬底上制备出不同密度和尺寸的铜纳米线和铜纳米尖锥。制备出的铜纳米线和尖锥阵列可应用于场发射显示器件、锂电池、超级电容等光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铜纳米线和铜纳米尖锥的方法，其特征在于：按照以下步骤进行：（1）清洗铜衬底，除去衬底上的杂质；（2）在有氧气的气体气氛下加热至350～600℃，并保温10分钟～6小时，然后自然降温，以使铜衬底表面形成一层氧化铜层或氧化铜纳米线；（3）将上述样品放入真空腔中，用氩离子轰击，以在衬底上形成铜纳米线或铜纳米尖锥阵列。
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