[发明专利]一种OLED金属氧化物及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210265115.4 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN102760750A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 洪孟逸 申请(专利权)人: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210033 江苏省南京市仙林大道科*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种OLED金属氧化物及其制造方法,包括:扫描线;第二TFT金属连接线;数据线;电流供应线;绝缘层;第一TFT;第二TFT;共通电极,覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT,且第二漏极部分露出共通电极;有机发光层,位于共通电极上;透明电极,位于有机发光层上,且透明电极与第二漏极连接。本发明通过在背板上的共通电极作为主要发光区域,并使共通电极覆盖扫描线、信号线、电流供应线、第一TFT和第二TFT,再将顶侧的透明电极经由孔连接至第二漏极,在共通电极与透明电极间形成OLED发光层,如此在框状的共通金属外形成透明区域,可以有效提高OLED显示器的透明度。
搜索关键词: 一种 oled 金属 氧化物 及其 制造 方法
【主权项】:
一种OLED金属氧化物,其特征在于,包括:扫描线;第二TFT金属连接线;数据线,与扫描线垂直交叉;电流供应线,与数据线平行间隔;绝缘层;第一TFT,包括:与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一TFT半导体层;第二TFT,包括:与第二TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二TFT半导体层;共通电极,覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT,且第二漏极部分露出共通电极;有机发光层,位于共通电极上;透明电极,位于有机发光层上,且透明电极与第二漏极连接。
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