[发明专利]一种OLED金属氧化物及其制造方法有效
申请号: | 201210265115.4 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102760750A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 洪孟逸 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED金属氧化物及其制造方法,包括:扫描线;第二TFT金属连接线;数据线;电流供应线;绝缘层;第一TFT;第二TFT;共通电极,覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT,且第二漏极部分露出共通电极;有机发光层,位于共通电极上;透明电极,位于有机发光层上,且透明电极与第二漏极连接。本发明通过在背板上的共通电极作为主要发光区域,并使共通电极覆盖扫描线、信号线、电流供应线、第一TFT和第二TFT,再将顶侧的透明电极经由孔连接至第二漏极,在共通电极与透明电极间形成OLED发光层,如此在框状的共通金属外形成透明区域,可以有效提高OLED显示器的透明度。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 金属 氧化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种OLED金属氧化物,其特征在于,包括:扫描线;第二TFT金属连接线;数据线,与扫描线垂直交叉;电流供应线,与数据线平行间隔;绝缘层;第一TFT,包括:与扫描线连接的第一栅极、与数据线连接的第一源极、以及位于绝缘层上的第一TFT半导体层;第二TFT,包括:与第二TFT金属连接线连接的第二栅极、与电流供应线连接的第二源极、位于绝缘层上的第二TFT半导体层;共通电极,覆盖所述扫描线、第二TFT金属连接线、数据线、电流供应线、第二TFT、以及第二TFT,且第二漏极部分露出共通电极;有机发光层,位于共通电极上;透明电极,位于有机发光层上,且透明电极与第二漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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