[发明专利]半导体器件

摘要

公开了一种半导体器件。更具体地，公开了一种具有SRAM的半导体器件，包括：单块的第一有源区域，第一晶体管和第五晶体管布置在该第一有源区域中；与第一有源区域分离的第二有源区域，第二晶体管布置在该第二有源区域中；单块的第三有源区域，第三晶体管和第六晶体管布置在该第三有源区域中；以及与第三有源区域分离的第四有源区域，第四晶体管布置在该第四有源区域中。每个驱动晶体管被划分为第一晶体管和第二晶体管(或者第三晶体管和第四晶体管)，并且这些驱动晶体管布置在不同的有源区域之上。

主权项

一种半导体器件，包括：存储器单元，包括：(a1)第一导电类型的第一MIS晶体管，耦合在第一电压和第一节点之间；(a2)第二导电类型的第一MIS晶体管，耦合在所述第一节点和不同于所述第一电压的第二电压之间；(a3)第二导电类型的第二MIS晶体管，与所述第二导电类型的第一MIS晶体管并联地耦合在所述第一节点和所述第二电压之间；(a4)第一导电类型的第二MIS晶体管，耦合在所述第一电压和第二节点之间；(a5)第二导电类型的第三MIS晶体管，耦合在所述第二节点和所述第二电压之间；(a6)第二导电类型的第四MIS晶体管，与所述第二导电类型的第三MIS晶体管并联地耦合在所述第二节点和所述第二电压之间；(a7)第二导电类型的第五MIS晶体管，耦合在所述第一节点和第一位线之间；以及(a8)第二导电类型的第六MIS晶体管，耦合在所述第二节点和第二位线之间，所述器件进一步包括：(b1)单块的第一有源区域，所述第二导电类型的第一MIS晶体管和所述第二导电类型的第五MIS晶体管布置在所述第一有源区域中；(b2)与所述第一有源区域分离的第二有源区域，所述第二导电类型的第二MIS晶体管布置在所述第二有源区域中；(b3)单块的第三有源区域，所述第二导电类型的第三MIS晶 体管和所述第二导电类型的第六MIS晶体管布置在所述第三有源区域中；以及(b4)与所述第三有源区域分离的第四有源区域，所述第二导电类型的第四MIS晶体管布置在所述第三有源区域中，其中所述第一有源区域至所述第四有源区域沿第一方向并排设置并且相互分离；其中第一栅极布线在所述第一有源区域之上沿所述第一方向延伸；其中第二栅极布线在所述第一有源区域和所述第二有源区域之上沿所述第一方向延伸；其中第三栅极布线在所述第三有源区域之上沿所述第一方向延伸；以及其中第四栅极布线在所述第三有源区域和所述第四有源区域之上沿所述第一方向延伸。