[发明专利]一种柔性CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210265537.1 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102800719A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李辉;刘向鑫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0296;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种制备柔性CdTe薄膜太阳能电池的方法,该制备方法的工艺步骤包括以下步骤:1)清洗云母基底(1);2)在云母基底(1)上生长透明导电薄膜(2);3)在基底(1)的透明导电薄膜(2)上生长CdS(3),然后在CdS(3)上面生长CdTe(4)薄膜;4)在有CdCl2蒸汽的气氛中对步骤(3)制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理;5)在经退火处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极;至此制得所述的柔性CdTe多晶薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 cdte 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性CdTe薄膜太阳能电池,其特征是该柔性电池采用云母做为衬底,其结构为云母衬底(1)上为透明导电薄膜(2),透明导电薄膜(2)的上层为CdS多晶薄(3),CdS多晶薄膜(3)的上层为CdTe多晶薄膜(4),CdTe多晶薄膜(4)的上层为导电背电极(5)。CdS、CdTe、导电背电极。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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