[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210265575.7 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035697A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 石黑哲郎;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层，第一半导体层包含杂质元素；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极。在半导体器件中，第二半导体层包括杂质扩散区，包含在第一半导体层中的杂质元素扩散在杂质扩散区中，杂质扩散区位于栅电极正下方并且与第一半导体层接触，并且杂质元素使杂质扩散区成为p型杂质扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一半导体层，所述第一半导体层包含杂质元素；形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；形成在所述第二半导体层上的第三半导体层；和形成在所述第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中所述第二半导体层包括杂质扩散区，包含在所述第一半导体层中的杂质元素扩散到所述杂质扩散区中，所述杂质扩散区位于所述栅电极正下方并且与所述第一半导体层接触，并且其中所述杂质元素使所述杂质扩散区成为p型杂质扩散区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210265575.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改进的电动自行车碟刹结构
- 下一篇：一种隐藏螺母式电动车仪表用爪手
- 同类专利
- 专利分类
