[发明专利]一种功率二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210265839.9 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102779858A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率二极管器件，它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、ALN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连。环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部，环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高，最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内，所述金属层覆盖任一个环形场板的凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率二极管器件，其特征在于：它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、ALN层、场限环、环形场板、形成肖特基结的金属层，所述场限环呈环形结构，所述ALN层为与所示场限环相对应的环形结构，所述外延层与阴极相电连，所述金属层与阳极相连。
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