[发明专利]一种纳米柱/针森林结构的加工方法有效
| 申请号： | 201210265870.2 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102779747A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 毛海央;陈媛婧;欧文;谭振新 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的加工方法，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种纳米柱/针森林结构的加工方法，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：a、准备并清洗所选用的衬底；b、在所述衬底上生长一层多晶硅；c、在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；d、对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；e、调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制，并可有效降低工艺复杂程度，实现具有高可调控性、均匀性的大面积或图形化纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 森林 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米柱/针森林结构的加工方法，其特征是，所述纳米柱/针森林结构的加工方法包括如下步骤：（a）、准备并清洗所选用的衬底；（b）、在所述衬底上生长一层多晶硅；（c）、在所述生长有多晶硅的衬底上生长一层侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖于多晶硅层上；（d）、对上述覆盖侧墙材料层、多晶硅层的衬底进行多晶硅的各向异性刻蚀；（e）、调节各向异性刻蚀的时间，直至得到所需的纳米柱/针森林结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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