[发明专利]硅晶圆抛光制程方法在审
| 申请号： | 201210266115.6 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102773790A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李彬;贺贤汉;金文明;余图斌 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤：S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，S1.1，前减压水抛；S1.2，加压研磨液抛光；S1.3，后减压水抛；在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。本发明硅晶圆抛光制程方法简化了抛光制程，有效降低了固定资产的投入，另外通过增加“减压表面活性剂抛光”，有效消除了晶圆表面的“白雾”现象。而采用高品质的流动纯水进行剥离后晶圆的短期保存，不仅颗粒问题得以改进，更换、配制溶液的作业也无需进行，减轻了作业负担，制程的合格率也得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 抛光 方法 | ||
【主权项】：
硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤：S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，S1.1，前减压水抛；S1.2，加压研磨液抛光；S1.3，后减压水抛；其特征在于，在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。
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