[发明专利]基于机电耦合模型的偏置反射面天线电性能预测方法有效
申请号: | 201210266151.2 | 申请日: | 2012-07-30 |
公开(公告)号: | CN102788920A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 王从思;徐慧娟;李兆;段宝岩;康明魁;王伟;黄进;保宏 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了基于机电耦合模型的偏置反射面天线电性能预测方法,该方法包括:1)在I-DEAS中建立天线有限元模型;2)在I-DEAS中分析得到偏置反射面天线的有限元模型各节点的温度分布;3)将有限元模型文件读入Ansys文件中,计算温度引起的结构变形;4)计算偏置反射面天线的反射面误差和馈源误差对天线口径场幅度相位的影响项;5)计算偏置反射面天线的电性能;6)判断是否满足设计要求。该方法可以准确分析温度对偏置反射面天线结构的影响,实现偏置反射面天线的结构和电磁两场耦合分析;分析各种结构误差对天线工作性能的影响,可以找出其中主要结构因素,根据实际需要给出合理的结构精度要求,缩短研制周期,降低研制成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 机电 耦合 模型 偏置 反射 天线 性能 预测 方法 | ||
【主权项】:
基于机电耦合模型的偏置反射面天线电性能预测方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:(1)根据偏置反射面天线的结构参数以及材料属性,在I‑DEAS中构建其有限元模型;(2)根据天线的位置朝向以及太阳的热辐射分布,在I‑DEAS中分析得到偏置反射面天线的有限元模型各个节点的温度分布;(3)将偏置反射面天线的有限元模型文件读入Ansys文件中;(4)给定偏置反射面天线有限元模型约束条件,基于各节点的温度分布,计算在不同温度载荷情况下的偏置反射面天线有限元模型产生的变形,并提取偏置反射面天线有限元模型各个节点的误差;(5)根据偏置反射面天线有限元模型各个节点的误差,计算出偏置反射面天线在不同温度载荷情况下的反射面误差和馈源误差对天线口径场幅度相位的影响项,进而利用机电耦合模型,计算偏置反射面天线的电性能;(6)根据偏置反射面天线的电性能指标要求,判断计算出的偏置反射面天线电性能是否满足要求,如果满足要求,则偏置反射面天线结构设计合格;否则,修改偏置反射面天线的结构参数,并重复步骤(1)到步骤(5),直至满足要求。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210266151.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。