[发明专利]一种LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210266632.3 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103579428A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延片及其制备方法。该LED外延片包括依次层叠的衬底层、第一半导体层、插入层、发光层和第二半导体层，其中，插入层为Ge掺杂GaN层，能有效改善ESD性能，且发光效率增强使得LED亮度提高，不会引入缺陷，也不会导致串联电阻的增加而使器件的电性变差，同时生产工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片，其特征在于，包括依次层叠的衬底层、第一半导体层、插入层、发光层和第二半导体层，所述插入层为Ge掺杂GaN层。
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