[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210266879.5 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035700A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：具有第一极性的电子传输层、形成在电子传输层上方并且具有第二极性的p型盖层以及形成在p型盖层上的并且具有第一极性的n型盖层。n型盖层包括具有不同厚度的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：第一化合物半导体层，所述第一化合物半导体层具有第一极性；第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层形成在所述第一化合物半导体层上方，所述第二化合物半导体层包括第二极性；和第三化合物半导体层，所述第三化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层上方，所述第三化合物半导体层包括所述第一极性；其中所述第三化合物半导体层包括具有不同厚度的部分。
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