[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210266938.9 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035670A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 镰田阳一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H02M5/458;H03F3/189 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：衬底；形成在衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层与栅电极之间的第一p型半导体层；以及形成在源电极和漏电极中的至少之一与电子供给层之间的第二p型半导体层。第二p型半导体层上的源电极和漏电极之一包括：第一金属膜；以及在第一金属膜的栅电极侧上接触第一金属膜的第二金属膜，并且第二金属膜的电阻低于第一金属膜的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在所述电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在所述电子供给层与所述栅电极之间的第一p型半导体层；以及形成在所述源电极和所述漏电极中的至少之一与所述电子供给层之间的第二p型半导体层，其中在所述第二p型半导体层上的所述源电极和所述漏电极中的所述之一包括：第一金属膜；以及在所述第一金属膜的所述栅电极侧上接触所述第一金属膜的第二金属膜，并且所述第二金属膜的电阻低于所述第一金属膜的电阻。
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