[发明专利]一种高储能纯固态超级电容器的制备方法无效
| 申请号： | 201210266997.6 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810407A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘必前;任晓灵;杨海军;何敏;汪前东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01G9/07 | 分类号： | H01G9/07;H01G9/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，所述的制备方法是先采用纳米复合陶瓷粉体与耐高压抗击穿的高分子材料共混，高温压制成具有较高击穿电压和介电常数的电介质层，而后采用磁控溅射法在电介质层两侧镀电极。使用的纳米复合陶瓷粉体是采用Al2O3均匀包覆具有高介电常数的纳米陶瓷晶体粉末而制成的。用本发明的工艺方法制备的纯固态超级电容器具有较高的储电能力，稳定性好、安全性高、自放电缓慢、可放大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能纯 固态 超级 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高储能纯固态超级电容器的制备方法，其特征是，该制备方法包括以下步骤：(1)将纳米陶瓷粉体用Al2O3均匀包覆，制得纳米复合陶瓷粉体；其中，纳米陶瓷粉体为具有高介电常数的纳米陶瓷晶体粉末，如钛酸钡晶体粉末、钇离子掺杂的钨酸铅晶体粉体等；(2)将高分子材料经冷冻后研磨成为纳米级的粉体颗粒，并与步骤(1)制得的纳米复合陶瓷粉体超声共混，高温压制成电介质层；其中，高分子材料为耐高压抗击穿的高分子材料，如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等；(3)采用磁控溅射法在步骤(2)制得的电介质层两侧镀层金属电极，从而制得高储能纯固态超级电容器。
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