[发明专利]台面型反向阻断二极晶闸管芯片无效
| 申请号： | 201210267739.X | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102820333A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 312000 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种台面型反向阻断二极晶闸管芯片。包括P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区及N2阴极发射区，在N1长基区一侧设有P1阳极发射区并形成第一PN结，在N1长基区另一侧设有P2短基区并形成第二PN结，在P2短基区上还设有N2阴极发射区并形成第三PN结，第一PN结和第二PN结之间的距离为100～180微米，第二PN结和第三PN结之间的距离为3～20微米。本发明正向可实现开关状态转化，反向呈现阻断状态，具有触发电流小、开关速度快、维持电流小、制造工艺简单，可应用于单向高压触发电路等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 反向 阻断 二极 晶闸管 芯片 | ||
【主权项】：
一种台面型反向阻断二极晶闸管芯片，其特征在于：它包括P1阳极发射区（5）、N1长基区（1）、P2短基区（4）及N2阴极发射区（7）， 在N1长基区（1）一侧设有P1阳极发射区（5），N1长基区（1）与P1阳极发射区（5）之间形成第一PN结（2），在N1长基区（1）另一侧设有P2短基区（4），N1长基区（1）与P2短基区（4）之间形成第二PN结（3），在P2短基区（4）上还设有N2阴极发射区（7），P2短基区（4）与N2阴极发射区（7）之间形成第三PN结（6），第一PN结（2）和第二PN结（3）之间的距离（12）为100～180微米，第二PN结（3）和第三PN结（6）之间的距离（11）为3～20微米，在N1长基区（1）上方开设有第一凸台（8），第二PN结（3）和第三PN结（6）同时暴露在第一凸台（8）的两个上侧壁（14）上，在N1长基区（1）下方开设有第二凸台（13），第一PN结（2）暴露在第二凸台（13）的两个下侧壁（15）上，在第一凸台（8）的上侧壁（14）和第二凸台（13）的下侧壁（15）上均设有钝化层（9），在P1阳极发射区（5）和N2阴极发射区（7）表面设有金属层（10）。
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