[发明专利]EMI专用真空溅镀治具制作工艺无效
申请号: | 201210268753.1 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN103576602A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 范新宇 | 申请(专利权)人: | 昆山福冈电子有限公司 |
主分类号: | G05B19/18 | 分类号: | G05B19/18;C23C14/04;C23C14/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215316 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种EMI专用真空溅镀治具制作工艺,包括如下步骤:a:首先确定产品需要EMI遮蔽的区域进行3D造型制图;b:采用MASTERCAM、CIMATRON与UG三种编程软件混合使用,生成一个G代码文件,用于加工专用EMI真空溅镀治具;c:将b步骤编写的程序输入机床的PLC控制器中;d:启动机器,机器根据b步骤编写的程序在PLC控制器的控制下沿指定位置对产品进行切割。本发明采用MASTERCAM、CIMATRON与UG三种编程软件混合使用,生成一个G代码文件,兼用三种软件的优点,缩短编程时间、缩短加工时间,细节加工精准,可以有效的通过避让、架桥等方式获得需要尺寸及规格的EMI专用真空溅镀治具。 | ||
搜索关键词: | emi 专用 真空 溅镀治具 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种EMI专用真空溅镀治具制作工艺,所述EMI专用真空溅镀治具包括上盖和底座,所述底座上设置有与待真空溅镀产品配套的定位块,所述上盖包括遮蔽块,所述遮蔽块通过架桥连接,所述架桥连接至所述上盖的主体,其特征在于,所述制作工艺包括如下步骤:a:首先根据待真空溅镀产品,确定产品需要EMI遮蔽的区域;b:在确定待EMI遮蔽区域的基础上进行3D造型制图,采用MASTERCAM、CIMATRON与UG三种编程软件混合使用,生成一个G代码文件,用于确定专用EMI真空溅镀治具的加工路径;c:将b步骤编写的程序输入机床的PLC控制器中,同时将待切割成EMI专用真空溅镀治具的金属板材放置在机床的定位装置内;d:待PLC控制器及金属板材定位均设定完成,启动机器,机器根据b步骤编写的程序在PLC控制器的控制下沿指定位置对产品进行切割,通过避让、遮蔽、架桥等设计而获得一体化成型的EMI专用真空溅镀治具。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山福冈电子有限公司,未经昆山福冈电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210268753.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种射线防护材料制造方法
- 下一篇:一种加速液体冷却降温的装置