[发明专利]一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法有效
申请号: | 201210268834.1 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN103570377A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 陈照峰;刘勇 | 申请(专利权)人: | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法,包括以下步骤:(1)按照1∶1的摩尔比取适量的碳毡和SiO2粉;(2)将碳毡和SiO2粉放入盐酸进行酸洗,酸洗后用去离子水水洗,水洗后将碳毡把SiO2粉包覆,放置在70~90℃的烘箱中处理;(3)将包覆SiO2粉的碳毡放入石墨发热体加热炉内,密闭加热炉;(4)将加热炉内温度升高至500~700℃,气压抽至10-2Pa以下,保持2~3小时;(5)将加热炉温度升高至1450~1600℃,保温2~6小时,停止保温,冷却后,加热炉内碳素材料表面具有碳化硅涂层。本发明工艺过程相对简单,易操作,重复性好,涂层与基体达到冶金结合、涂层结合力强。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 发热 加热炉 碳素 材料 表面 制备 sic 涂层 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法,其特征包括下述顺序的步骤:(1)按照1∶1的摩尔比取适量的碳毡和SiO2粉,碳毡中炭含量大于等于99.9%,SiO2粉纯度大于等于99.999%,SiO2粉粒度为200~500um;(2)将碳毡和SiO2粉放入浓度为3%~6%的盐酸进行酸洗,酸洗后用去离子水水洗,水洗后将碳毡把SiO2粉包覆,放置在70~90℃的烘箱中处理2~5小时;(3)将包覆SiO2粉的碳毡放入石墨发热体加热炉内,密闭加热炉;(4)将加热炉内温度升高至500~700℃,气压抽至10‑2Pa以下,升温速率为3~5℃每分钟,保持2~3小时;(5)将加热炉温度升高至1450~1600℃,升温速率为4~8℃每分钟,保温2~6小时,停止保温,冷却后,加热炉内碳素材料表面具有碳化硅涂层。
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