[发明专利]一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法无效
申请号: | 201210268835.6 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN103570378A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 陈照峰;刘勇 | 申请(专利权)人: | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法,包括以下步骤:(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉,将其抽真空,真空度达到10-1Pa以下;(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至1000~1200℃;(3)以氢气为载气,通过鼓泡法把三氯甲基硅烷带入石墨发热体加热炉腔内,载气流量根据炉体尺寸调节,流量为200~800ml/min,同时以氩气作为稀释气体,其流量为200~800ml/min,保持加热炉腔内压力为3×103~105Pa,沉积20~50小时,冷却后,碳素材料表面出现SiC涂层。本发明具有制备过程不需要专用化学气相沉积设备,制备SiC涂层质量好,涂层厚度大且灵活可控。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 发热 加热炉 碳素 材料 表面 直接 沉积 sic 涂层 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法,其特征包括下述顺序的步骤:(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉,将其抽真空,真空度达到10‑1Pa以下;(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至1000~1200℃,升温速率为8~12℃每分钟;(3)以氢气为载气,通过鼓泡法把三氯甲基硅烷带入石墨发热体加热炉腔内,载气流量根据炉体尺寸调节,流量为200~800ml/min,同时以氩气作为稀释气体,其流量为200~800ml/min,保持加热炉腔内压力为3×103~105Pa,沉积20~50小时,冷却后,碳素材料表面出现SiC涂层。
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