[发明专利]一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面原位反应烧结SiC涂层的制备方法

摘要

本发明提供一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面原位反应烧结SiC涂层的制备方法，包括(1)按照0.7～0.9∶1的摩尔比取适量的C、Si粉，将其充分混合；(2)混合后加入盐酸进行酸洗，酸洗后用去离子水水洗，放置在烘箱中处理，得到均匀混合干粉；(3)将适量混合干粉中加入适量粘结剂水溶液，调成混合浆料；(4)将混合浆料均匀涂覆在碳素材料部件表面；(5)将加热炉炉内温度升高至80～110℃，保温2～3小时；(6)继续升高加热炉内温度至450～600℃，保温2～3小时；(7)将加热炉内气压抽至10-2Pa以下，通入高纯氩气和/或氦气，将加热炉内温度提升至1400～1600℃，保温3～6小时，停止加热，冷却后生成SiC涂层。本发明工艺过程相对简单，易操作，重复性好，直接在碳素材料表面原位反应生成结合力强的涂层。

主权项

一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面原位反应烧结SiC涂层的制备方法，其特征包括下述顺序的步骤：(1)按照0.7～0.9∶1的摩尔比取适量的C粉和Si粉，二者的纯度均大于等于99.999％，粒度均小于20um，将C粉与Si粉充分混合；(2)在充分混合后的粉体中加入3％～6％的盐酸进行酸洗，酸洗后用去离子水水洗，水洗后将粉体放置在70～90℃的烘箱中处理3～5小时，得到均匀混合干粉；(3)将适量混合干粉中加入适量粘结剂水溶液，调成质量浓度为25％‑40％的混合浆料；(4)将混合浆料均匀涂覆在碳素材料部件表面，浆料涂覆层厚度为0.5～1mm；(5)将石墨发热体加热炉炉内温度升高至80～110℃，保温2～3小时；(6)继续升高石墨发热体加热炉内温度至450～600℃，升温速率为3～5℃每分钟，保温2～3小时；(7)将石墨发热体加热炉内气压抽至10‑2Pa以下，然后通入高纯氩气和/或氦气，将石墨发热体加热炉内温度提升至1400～1600℃，升温速率为3～5℃每分钟，保温3～6小时，停止加热，冷却后，石墨发热体加热炉内碳素材料表面生成SiC涂层。