[发明专利]铜锌锡硫硒薄膜及其制备方法、铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201210269177.2 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN102769047A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 罗海林;肖旭东;杨春雷;刘壮;顾光一;冯叶;程冠铭 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/58 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种铜锌锡硫硒薄膜,包括入光面及与所述入光面相对的背光面,所述铜锌锡硫硒薄膜中硫与硒的摩尔比值沿所述入光面到所述背光面的方向逐渐升高。上述铜锌锡硫硒薄膜,随着材料中硫与硒的摩尔比值的变化,禁带宽度也具有同样的变化趋势。这种变化趋势的禁带宽度,可使得入光面至背光面间产生电势差,将光生载流子从高复合区域中驱离,避免光生载流子之间的复合,延长了光生载流子的寿命,且产生的电势差有利于提高光生载流子的扩散长度,提高对光生载流子的收集效率,进而提高了电池的光电转换效率。同时,还提供了上述铜锌锡硫硒薄膜的制备方法及使用该铜锌锡硫硒薄膜的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 铜锌锡硫硒 薄膜 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫硒薄膜,其特征在于,包括入光面及与所述入光面相对的背光面,所述铜锌锡硫硒薄膜中硫与硒的摩尔比值沿所述入光面到所述背光面的方向逐渐升高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的