[发明专利]物理气相沉积设备及物理气相沉积工艺有效
| 申请号： | 201210269186.1 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103572211A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 边国栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成;黄德海 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，所述反应腔室包括：位于所述反应腔室内以将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室的介质窗，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；位于所述下部腔室内的基片支撑部件；设在所述上部腔室的顶壁、用于加热所述待加工基片的加热部件；基片传输口，所述基片传输口位于所述下部腔室的侧壁上，用于将加工完的基片从所述下部腔室传出或将待加工的基片传入所述下部腔室；和加热约束桶，所述加热约束桶位于所述下部腔室内且能够通过升降机构在所述下部腔室内升降。本发明提供的物理气相沉积设备，可大大提高基片加热时的均匀性，提高基片的去气效果。本发明还公开了一种物理气相沉积工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 设备 及物 理气 工艺 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：介质窗，所述介质窗位于所述反应腔室内，将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件位于所述下部腔室内；加热部件，所述加热部件设在所述上部腔室的顶壁，用于加热所述待加工基片；基片传输口，所述基片传输口位于所述下部腔室的侧壁上，用于将加工完的基片从所述下部腔室传出或将待加工的基片传入所述下部腔室；和加热约束桶，所述加热约束桶位于所述下部腔室内且能够通过升降机构在所述下部腔室内升降。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210269186.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线路板的制作方法
- 下一篇：具有内建定位件、中介层、以及增层电路的复合线路板
- 同类专利
- 专利分类
