[发明专利]一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210269355.1 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102826664A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 周钰明;刘广卿;黄镜怡;姚清照;凌磊;王虎传;曹科;刘亚辉;吴文导;孙伟 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C02F5/10 分类号: C02F5/10;C08F283/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210033 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂是以聚醚羧酸酯反应单体与含乙烯基不饱和双键的单体以及含不饱和双键的荧光单体进行自由基共聚后而得,其结构通式如下:,其中:A是含乙烯基不饱和双键的单体聚合后的重复结构单元,B是含不饱和双键的荧光单体聚合后的重复结构单元,R是H或C1~C5低碳烷基。聚合度x为1~5000,聚合度y为1~5000,聚合度z为1~5000,重复单元数m为1~100。
搜索关键词: 一种 荧光 标识 羧酸 酯缓蚀阻垢剂 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种荧光标识聚醚羧酸酯缓蚀阻垢剂,其特征在于该缓蚀阻垢剂是以聚醚羧酸酯反应单体与含乙烯基不饱和双键的单体以及含不饱和双键的荧光单体进行自由基共聚后而得,其结构通式如下:其中:A是含乙烯基不饱和双键的单体聚合后的重复结构单元,B是含不饱和双键的荧光单体聚合后的重复结构单元,R是H或C1~C5低碳烷基;聚合度x为1~5000,聚合度y为1~5000,聚合度z为1~5000,重复单元数m为1~100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210269355.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top