[发明专利]一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201210269387.1 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102745750A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张育新;董萌;邱鑫;郝晓东;刘佳;黄明;柳红东;曾莉;张淑平;李新禄;黄佳木 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C01G45/02 | 分类号： | C01G45/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明以去离子水，氢氧化钠和稀硫酸为溶剂，用无定形二氧化锰纳米颗粒为“种子”合成低维锰氧化物纳米晶体，无需表面活性剂，成本较低，生产容易扩大。制备出的低维锰氧化物纳米材料晶体结构和形貌丰富，合成产物粒径尺寸、形貌均匀。采用本发明方法制备出的低维锰氧化物可广泛应用于锂离子电池、太阳能电池、超级电容器等新能源器件，也可适用于催化剂载体、信息材料等领域，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低维锰 氧化物 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备低维锰氧化物纳米晶体的方法，其特征在于包括以下制备工艺：(1)水油两相法制备无定形二氧化锰纳米颗粒(2)以二氧化锰纳米颗粒做“种子”，水热合成法制备低维锰氧化物纳米晶体。
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