[发明专利]光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置以及辐射检测器的制造方法有效
| 申请号： | 201210270199.0 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102956665A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 大田恭义;佐藤圭一郎;西纳直行;中津川晴康 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有开关元件和传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在平整层的整个表面上；及将导电部件接地的连接部分。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 基底 辐射 检测器 射线 照相 图像 捕获 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述光电转换基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有所述开关元件和所述传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在所述平整层的整个表面上；及将所述导电部件接地的连接部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
