[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210270426.X | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579089B | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层，对所述层间介质层表面执行氮离子处理；刻蚀所述层间介质层形成接触孔；在所述接触孔中填充金属铜，形成铜互连线；形成富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层覆盖所述铜互连线及层间介质层；形成铜阻挡层，所述铜阻挡层覆盖所述富硅氮化硅层。通过对所述层间介质层表面执行氮离子处理，从而提高了层间介质层与富硅氮化硅层的粘附性，进而提高了层间介质层与铜阻挡层之间的粘附性，避免了剥离问题的产生，提高了集成电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层，对所述层间介质层表面执行氮离子处理；刻蚀所述层间介质层形成接触孔；在所述接触孔中填充金属铜，形成铜互连线；形成富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层覆盖所述铜互连线及层间介质层；其中，所述富硅氮化硅层形成于氮离子处理表面上；形成铜阻挡层，所述铜阻挡层覆盖所述富硅氮化硅层；其中，通过对所述层间介质层表面执行氮离子处理使得所述层间介质层与所述富硅氮化硅层性能接近，提高所述层间介质层与所述富硅氮化硅层之间的粘附性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
