[发明专利]发光二极管元件、其制造方法及覆晶式发光二极管元件

摘要

本发明提供一种发光二极管元件、其制造方法及覆晶式发光二极管元件。所述方法包括：提供基板，基板具有相对的第一表面与第二表面。在基板的第一表面上形成未掺杂半导体层。在未掺杂半导体层上形成第一型掺杂半导体层。在第一型掺杂半导体层上形成发光层。在发光层上形成第二型掺杂半导体层。分别在第一型掺杂半导体层上及第二型掺杂半导体层上形成第一电极与第二电极。图案化基板的第二表面，以形成多个光学微结构，其中这些光学微结构间设有多个空隙。另外，一种发光二极管元件与一种覆晶式发光二极管元件亦被提出。

主权项

一种发光二极管元件，其特征在于，包括：基板，具有相对的第一表面与第二表面，且包括多个光学微结构，其中所述多个光学微结构间设有多个空隙，且所述多个光学微结构配置在所述第二表面；未掺杂半导体层，配置在所述基板的所述第一表面上；第一型掺杂半导体层，配置在所述未掺杂半导体层上；第二型掺杂半导体层，配置在所述第一型掺杂半导体层上；发光层，配置在所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；第一电极，配置在所述第一型掺杂半导体层上，且与所述第一型掺杂半导体层电性连接；以及第二电极，配置在所述第二型掺杂半导体层上，且与所述第二型掺杂半导体层电性连接，其中各所述光学微结构的高度h满足下式： λ 4 n eff × ( 1 3 ) ≤ h ≤ λ 4 n eff × ( 3 ) neff＝na·(1‑x)+ns·x其中λ为所述发光层所发出的光束的中心波长，na为在所述基板外且相邻于所述第二表面的介质的折射率，ns为所述基板的折射率，x为所述多个光学微结构在所述第二表面上所占的面积的比值。