[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210270679.7 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103035703A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 牧山刚三;冈本直哉;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的氮化硅保护膜；以及形成于所述化合物半导体层上以填塞所述开口的电极，其中所述保护膜的下层部分包括从所述开口的侧表面突出的突出部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210270679.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铝板墙喷漆流水线装置
- 下一篇：腰椎支撑理疗带
- 同类专利
- 专利分类
