[发明专利]一种横向SOI功率器件

摘要

本发明公开了一种横向SOI功率器件，包括半导体衬底，绝缘介质层和半导体有源层，在半导体有源层表面具有体区和漏区，体区和漏区之间有间距，形成器件的漂移区，在体区表面依次形成体接触区和源区，在绝缘介质层上设置有硅窗口，体区的底部在硅窗口中或通过硅窗口进入半导体衬底，体接触区的底部进入硅窗口；源区和体接触区的共同引出端为源电极。本发明有效的将体区引出，消除了Kink效应、寄生三极管效应、记忆效应等浮体效应，提高关态耐压，提高栅控制能力，同时提高开态时的击穿电压，改善了SOI器件的特性，也消除了T型栅结构和BTS结构出现局部附体效应的可能性。

主权项

一种横向SOI功率器件，包括半导体衬底（1），在半导体衬底（1）上方设置的绝缘介质层（2）和位于绝缘介质层（2）的上方的半导体有源层，在半导体有源层表面具有体区（3）和漏区（7），所述体区（3）和漏区（7）之间有间距，形成器件的漂移区（4），在所述体区（3）表面依次形成体接触区（5）和源区（6），其特征在于：在所述绝缘介质层（2）设置有硅窗口（13），所述体区（3）的底部在硅窗口（13）中或通过硅窗口（13）进入半导体衬底（1），所述体接触区（5）的底部进入硅窗口（13）；在所述源区（6）和漂移区（4）之间的半导体有源层表面之上是平面栅结构，所述源区（6）和体接触区（5）的共同引出端为源电极，所述漏区（7）引出端为漏电极，平面栅引出端为栅电极。