[发明专利]一种半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201210271135.2 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN102790351A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 李希勇;周峰;杜伯奇;张延亮;杨庆东;苏伦昌;董春春;杨帆 申请(专利权)人: 山东能源机械集团大族再制造有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 北京恒都律师事务所 11395 代理人: 邸建凯
地址: 271219 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种半导体激光器。在该半导体激光器的激光头上沿激光出射方向依次具有二级激光防护镜和保护锥体通孔,二级激光防护镜通过保护锥腔通孔向激光器的外部射出激光,在保护锥体通孔的附近具有气体吹扫装置,来自于气体吹扫装置的气体出口的气流吹扫所述通孔的下方区域,气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向为朝向下方或者水平方向。本发明的半导体激光器,在进行激光熔覆等激光加工过程中,来自于气体吹扫装置的气体出口的气流能够不断地吹扫保护锥体通孔的下方,从而可以将污染物质或者熔融合金飞溅物吹离保护锥体通孔,避免激光防护镜遭受污染或者破坏,同时缓解了从保护锥体通孔出来的气体对预置在工件表面的合金粉末的影响。
搜索关键词: 一种 半导体激光器
【主权项】:
一种半导体激光器,其特征在于,在半导体激光器的激光头上沿激光出射方向依次具有二级激光防护镜和保护锥体通孔,所述二级激光防护镜用于透过激光并通过所述保护锥体通孔向激光器的外部射出激光;在所述保护锥体通孔的附近具有气体吹扫装置,来自于所述气体吹扫装置的气体出口的气流吹扫所述保护锥体通孔的下方区域,所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向为朝向下方或者水平方向。
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