[发明专利]钽靶材及钽靶材组件的制造方法有效
申请号: | 201210271505.2 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN103572223A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;陈勇军 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/14;C22F1/18;C21D8/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种钽靶材及钽靶材组件的制造方法。钽靶材的制造方法包括:提供钽锭;对所述钽锭进行锻造,形成第一钽靶材坯料;对所述第一钽靶材坯料进行轧制,形成第二钽靶材坯料;对所述第二钽靶材坯料进行第一热处理,形成钽靶材,所述第一热处理分为三阶段,第一阶段热处理温度为550℃~750℃,保温时间为30分钟~90分钟;第二阶段热处理温度为750℃~950℃,保温时间为30分钟~90分钟;第三阶段热处理温度为950℃~1200℃,第三阶段热处理保温时间为30分钟~90分钟。采用本发明技术方案可以得到的钽靶材的晶向主要为(100),而且在断面上晶向均匀,另外,还可以得到晶粒细小且内部组织均匀钽靶材。 | ||
搜索关键词: | 钽靶材 组件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种钽靶材的制造方法,其特征在于,包括:提供钽锭;对所述钽锭进行锻造,形成第一钽靶材坯料;对所述第一钽靶材坯料进行轧制,形成第二钽靶材坯料;对所述第二钽靶材坯料进行第一热处理,形成钽靶材,所述第一热处理分为三阶段:第一阶段热处理温度为550℃~750℃,第一阶段热处理保温时间为30分钟~90分钟;第一阶段热处理保温结束后升温至第二阶段热处理温度,所述第二阶段热处理温度为750℃~950℃,第二阶段热处理保温时间为30分钟~90分钟;第二阶段热处理保温结束后升温至第三阶段热处理温度,所述第三阶段热处理温度为950℃~1200℃,第三阶段热处理保温时间为30分钟~90分钟。
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