[发明专利]一种超级结的制备工艺方法

摘要

本发明公开了一种超级结的制备工艺方法，主要针对深沟槽加P柱填入方式制备超级结的工艺，在P柱形成过程中，首先利用外延生长工艺采用单晶硅填充部分沟槽，然后再利用掺杂的多晶硅（poly）填充剩余部分的沟槽，要求多晶硅的掺杂浓度要大于底部外延填充单晶硅的浓度。最后利用干法刻蚀将硅表面的多晶硅进行回刻。通过外延加多晶硅填充超级结深沟槽，一方面可以提高P柱顶端的浓度，降低阱区的电阻，并最终改善器件的雪崩击穿能力；另一方面也可以简化工艺，降低生产成本。

主权项

一种超级结的制备工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：步骤1,准备一片N型外延硅片做衬底；步骤2,利用光罩定义出需要P阱注入的区域并进行离子注入，然后利用高温退火工艺将P阱注入进行推进，形成P阱；步骤3,通过一层光罩定义出深沟槽的图案，采用干法刻蚀的方法，形成深沟槽；步骤4,采用选择性外延填充方式，在深沟槽内部分填充P型单晶硅，形成P柱；步骤5,在深沟槽顶部填充P型掺杂的多晶硅，并且掺杂浓度要大于深沟槽底部外延生长的P型单晶硅；步骤6,利用干法离子刻蚀工艺对硅表面的多晶硅进行回刻；步骤7,依次沉积一层氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极，然后通过光刻和刻蚀工艺形成栅极；步骤8,利用离子注入形成源极,随后在深沟槽顶部形成接触孔；步骤9,等器件制备的所有工艺进行完后，再进行晶背减薄和蒸金在晶片背面形成漏极。