[发明专利]IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法无效
| 申请号： | 201210271995.6 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103035502A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;孙勤;李琳松 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法，该方法在成长完栅极氧化层后，循环进行低温多晶硅的淀积和高温多晶硅的淀积，直至将沟槽填满。本发明利用不同温度下成长的多晶硅应力不同的特点，在沟槽内交替进行低温、高温多晶硅的填充，将不同应力的多晶硅复合膜叠加在一起，从而改善了IGBT栅极沟槽在多晶硅填充后的应力，同时解决了IGBT器件中的翘曲度问题，保证了后续工艺流程的正常作业。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 栅极 沟槽 多晶 填充 方法 | ||
【主权项】：
IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法，其特征在于，在成长完栅极氧化层后，循环进行低温多晶硅的淀积和高温多晶硅的淀积，直至将沟槽填满。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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