[发明专利]沉积源组件和有机层沉积设备在审
申请号: | 201210272044.0 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN102912316A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 成沄澈;金茂显 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种沉积源组件、一种有机层沉积设备、一种通过利用所述有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法和一种利用所述制造有机发光显示装置的方法制造的有机发光显示装置。这里,所述有机层沉积设备包括沉积源组件。沉积源组件包括:第一沉积源,用于排放沉积材料;第二沉积源,堆叠在第一沉积源上,并且排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料;第二沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面,并且包括多个第二沉积源喷嘴;第一沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面,并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。 | ||
搜索关键词: | 沉积 组件 有机 设备 | ||
【主权项】:
一种沉积源组件,所述沉积源组件包括:第一沉积源,用于排放沉积材料;第二沉积源,堆叠在第一沉积源上,第二沉积源用于排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料;第二沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面,并且包括多个第二沉积源喷嘴;第一沉积源喷嘴单元,设置在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面,并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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