[发明专利]具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 201210272151.3 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN102915993A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 马蒂亚斯·梅兹 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;G01N27/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吕雁葭
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了一种集成电路,包括:衬底(10),承载多个电路元件;金属化叠层(12,14,16),将所述电路元件互连,所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层,所述上部金属化层包括第一金属部分(20)和第二金属部分(21);钝化叠层(24,26,28),覆盖所述金属化叠层;气体传感器,包括所述钝化叠层上的感测材料部分(32,74);第一导电部分(38),延伸通过所述钝化底层,将所述感测材料部分的第一区域与所述第一金属部分相连;以及第二导电部分(40),延伸通过所述钝化叠层,将所述感测材料部分的第二区域与所述第二金属部分相连。还公开了制造这种IC的方法。
搜索关键词: 具有 传感器 集成电路 制造 这种 方法
【主权项】:
一种集成电路,包括:衬底(10),承载多个电路元件;金属化叠层(12,14,16),将所述电路元件互连,所述金属化叠层包括已构图的上部金属化层,所述上部金属化层包括第一金属部分(20)和第二金属部分(21);钝化叠层(24,26,28),覆盖所述金属化叠层;气体传感器,包括所述钝化叠层上的感测材料部分(32,74);第一导电部分(38),延伸通过所述钝化叠层,将所述感测材料部分的第一区域与所述第一金属部分相连;以及第二导电部分(40),延伸通过所述钝化叠层,将所述感测材料部分的第二区域与所述第二金属部分相连。
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