[发明专利]双极穿通半导体器件及这种半导体器件的制造方法

摘要

本发明名称为双极穿通半导体器件及这种半导体器件的制造方法，提供一种双极二极管(1)，具有位于阴极侧(13)上的第一导电类型的漂移层(2)和位于阳极侧(14)上的第二导电类型的阳极层(3)。阳极层(3)包括扩散的阳极接触层(5)和扩散的阳极缓冲层(4)。设置阳极接触层(5)直至最大为5μm的深度且设置阳极缓冲层(4)直至18至25μm的深度。阳极缓冲层(4)在5μm的深度中具有8.0×1015与2.0×1016cm-3之间以及在15μm的深度中具有1.0×1014直至5.0×1014cm-3之间的掺杂浓度(分离部分C和D)，从而使得器件具有良好的软度和低泄漏电流。

主权项

一种用于制造双极二极管(1)的方法，所述双极二极管(1)具有位于阴极侧(13)上的第一导电类型的漂移层(2)和位于与所述阴极侧(13)相对的阳极侧(14)上的第二导电类型的阳极层(3)，所述阳极层(3)包括阳极接触层(5)和阳极缓冲层(4)，其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述方法包括按照以下顺序的以下制造步骤：(a)提供所述第一导电类型的低掺杂晶片(10)，所述晶片(10)具有第一侧(11)和与所述第一侧(11)相对的第二侧(12)，其中所述晶片的这种在最终二极管中掺杂浓度未被改变的部分构成所述漂移层(2)；(b)在所述第二侧(12)上向所述晶片(10)施加第一离子(42)；(c)使所述第一离子(42)扩散进所述晶片(10)中直至第一深度；(d)在所述第二侧(12)上向所述晶片(10)施加第二离子(44)；(e)通过将所述第一离子和第二离子(42、44)扩散进所述晶片(10)中，使得在5μm的第二深度中实现在8.0×1015cm‑3与2.0×1016cm‑3之间的总掺杂浓度以及在15μm的第三深度中实现在1.0×1014cm‑3直至5.0×1014cm‑3之间的总掺杂浓度，形成所述阳极缓冲层(4)；(f)在所述第二侧(12)上将第三离子(52)施加到所述晶片(10)；以及(g)通过将所述第三离子(52)扩散进所述晶片(10)中直至最大为5μm的第四深度来形成所述阳极接触层(5)；其中所有的深度都是从所述第二侧(12)测量的。