[发明专利]一种pn结阵列受光结构的太阳电池无效
| 申请号： | 201210273976.7 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102820287A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 邓惠勇;郭建华;邱锋;吕英飞;胡淑红;胡古今;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L31/0687;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种pn结阵列受光结构的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的pn结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至pn结阵列。本发明最大的优点是：由于采用了pn结阵列直接受光的结构，工作时太阳光无须穿越p型或n型薄膜，解决了当前太阳电池的顶层薄膜对太阳光的强吸收的难题，避免了太阳光入射至pn结前的能量损耗，从而提高了太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 阵列 结构 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种pn结阵列受光结构的太阳电池，其特征在于：在n型或p型半导体材料衬底上通过热扩散或其它工艺形成等间隔的周期性排列的pn结阵列，pn结阵列的宽度为0.2～3μm，深度为5～20μm；将n型及p型层分别串联起来形成太阳电池。
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