[发明专利]一种检测磁场和加速度的传感器芯片设计与制造技术有效

专利信息
申请号: 201210275235.2 申请日: 2012-08-03
公开(公告)号: CN103076577A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 陈磊 申请(专利权)人: 陈磊
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01P15/08;H01L43/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600 上海市松江区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种传感器敏感单元的设计与制造技术以及由该种敏感单元组成的一种或几种传感器芯片,确切地说是一种或几种能够对平行和垂直于芯片表面的磁场和物体加速度进行检测的传感器芯片。本发明工艺简单易行,灵敏度高,易于实现批量化生产。传感器敏感单元包括晶圆基片、种子层、软磁材料层、被软磁材料层包裹的导电层以及由软磁层和导电层组合而成的N层结构,同时在平面内形成由N根长线条组成的弯曲状结构(当N=1时敏感单元为单条状结构)。传感器敏感单元通过不同的封装形式实现单轴、双轴与三轴磁场检测。同时传感器敏感单元与带有磁性质量块的悬臂梁结构组合能够实现单轴、双轴与三轴加速度检测。
搜索关键词: 一种 检测 磁场 加速度 传感器 芯片 设计 制造 技术
【主权项】:
一种传感器芯片,尤其是一种微型磁阻传感器芯片,确切地说是一种能够对平行和垂直于芯片表面的磁场和加速度进行检测的传感器芯片的设计与制造技术。其特征在于:传感器芯片的磁阻敏感单元包括晶圆基片、种子层、软磁材料层、被软磁材料层包裹的导电层以及由软磁层和导电层组合而成的N层结构,其中N为[1,1000]区间范围内的任一数值。同时,该敏感单元在平面内形成由N根长线条组成的弯曲状结构,其中N为[1,1000]区间范围内的任一数值,特别的,当N=1时敏感单元为单条状结构。
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