[发明专利]多量子阱半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210275276.1 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102801108A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本发明采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特征在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。
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