[发明专利]一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法有效
| 申请号： | 201210275343.X | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102795628A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈学记 | 申请（专利权）人： | 东华工程科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230024 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法，包括硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅DCS蒸发器和流化床反应器，把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。该方法既是一种新的TCS的制备方法，同时也解决了一个传统改良西门子法的弊端：DCS富集的问题，工艺简洁、易操作、安全、稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 低压 合成 工艺 制备 三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法，包括硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅（DCS）蒸发器和流化床反应器，其特征在于：把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉（Si）和氯化氢（HCl）的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。
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